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BuF是半导体封装中关键绝缘材料,当前市场由日本味之素ABF主导。随着AI与高性能芯片普及,线路宽度已缩至5微米以下,传统数微米级二氧化硅(SiO₂)填料导致表面粗糙度上升,引发电子迁移阻力增大、信号损耗及曝光精度下降等问题。 KC Tech提出“填料微细化+CMP工艺优化”方
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